产品特点: 1.标准的导流叶片 2.可以安装空间较狭小的地方 3.标准的过热保护 4.定时功能的设计 5.密封的滚珠轴承 6.电机防护等级:IP44和两年的保修期 管道风机HF100P 混流式管道风机,塑料风机,家用管道排气扇的详细信息 品牌/型号:HF100P类型:管道风机品牌:鸿冠型号:HF100P加工定制:是重量:2kg材质:ABS风量:165-198m3/s气流方向:混流电流:0.11-0.12A温控范围:300输入功率:23-26W 较小安装空间 大风量 高风压 低噪音 安装维护方便 纯铜线电机 双滚珠轴承 出口品泛应用于住宅,公寓,别墅,办公室,会议室,商场,宾馆,酒楼,电影院,歌舞厅,车站等场所。 防水等级IP44 适合长距离管道送风换气,风机质保一年. 一、真空电子管栅(shan)较 多较电子管中较靠近阴极的一个电极。用金属丝制成细丝网或螺旋线的形状,用于控制板较电流的强度,或改变电子管性能。 二、场效应管栅较 场效应管根据三极管的原理开发出的新一代放大元件,有3个极性,栅较(G,代表英文gate,也可叫门较),漏较(D,代表英文drain),源较(S,代表英文source),它的特点是栅较的内阻较高,采用二氧化硅材料的可以达到几百兆欧,属于电压控制型器件。场效应晶体管(FieldEffectTransistor缩写(FET))简称场效应管.由多数载流子参与导电,也称为单较型晶体管.它属于电压控制型半导体器件。 2 特点 编辑 具有输入电阻高(108~109Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,现已成为双较型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。 场效应管可应用于放大.由于场效应管放大器的输入阻抗很高,因此耦合电容可以容量较小,不必使用电解电容器.即金属-氧化物-半导体型场效应管,英文缩写为MOSFET(Metal-Oxide-SemiconductorField-Effect-Transistor),属于绝缘栅型。其主要特点是在金属栅较与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层,因此具有很高的输入电阻(较高可达1015Ω)。它也分N沟道管和P沟道管,符号如图1所示。通常是将衬底(基板)与源较S接在一起。根据导电方式的不同,MOSFET又分增强型、耗尽型。所谓增强型是指:当VGS=0时管子是呈截止状态,加上正确的VGS后,多数载流子被吸引到栅较,从而“增强”了该区域的载流子,形成导电沟道。耗尽型则是指,当VGS=0时即形成沟道,加上正确的VGS时,能使多数载流子流出沟道,因而“耗尽”了载流子,使管子转向截止。以N沟道为例,它是在P型硅衬底上制成两个高掺杂浓度的源扩散区N+和漏扩散区N+,再分别引出源较S和漏较D。源较与衬底在内部连通,二者总保持等电位。 图1 图片 (a)符号中的前头方向是从外向电,表示从P型材料(衬底)指身N型沟道。当漏接电源正极,源较接电源负极并使VGS=0时,沟道电流(即漏较电流)ID=0。随着VGS逐渐升高,受栅较正电压的吸引,在两个扩散区之间就感应出带负电的少数载流子,形成从漏较到源较的N型沟道,当VGS大于管子的开启电压VTN(一般约为+2V)时,N沟道管开始导通,形成漏较电流ID。MOS场效应管比较“娇气”。这是由于它的输入电阻很高,而栅-源较间电容又非常小,较易受外界电磁场或静电的感应而带电,而少量电荷就可在较间电容上形成相当高的电压(U=Q/C),将管子损坏。因此了厂时各管脚都绞合在一起,或装在金属箔内,使G较与S较呈等电位,防止积累静电荷。管子不用时,全部引线也应短接。在测量时应格外小心,并采取相应的防静电感措施。 3 检测方法 编辑 下面介绍检测方法。 1.准备工作测量之前,先把人体对地短路后,才能摸触MOSFET的管脚。较好在手腕上接一条导线与大地连通,使人体与大地保持等电位。再把管脚分开,然后拆掉导线。 2.判定电极将万用表拨于R×100档,首先确定栅较。若某脚与其它脚的电阻都是无穷大,证明此脚就是栅较G。交换表笔重测量,S-D之间的电阻值应为几百欧至几千欧,其中阻值较小的那一次,黑表笔接的为D较,红表笔接的是S较。日本生产的3SK系列产品,S较与管壳接通,据此很容易确定S较。 即金属-氧化物-半导体型场效应管,英文缩写为MOSFET(Metal-Oxide-SemiconductorField-Effect-Transistor),属于绝缘栅型。其主要特点是在金属栅较与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层,因此具有很高的输入电阻(较高可达1015Ω)。它也分N沟道管和P沟道管,符号如图1所示。通常是将衬底(基板)与源较S接在一起。根据导电方式的不同,MOSFET又分增强型、耗尽型。所谓增强型是指:当VGS=0时管子是呈截止状态,加上正确的VGS后,多数载流子被吸引到栅较,从而“增强”了该区域的载流子,形成导电沟道。耗尽型则是指,当VGS=0时即形成沟道,加上正确的VGS时,能使多数载流子流出沟道,因而“耗尽”了载流子,使管子转向截止。 4 栅较电阻选择 编辑 1、消除栅较振荡 绝缘栅器件(IGBT、MOSFET)的栅射(或栅源)较之间是容性结构,栅较回路的寄生电感又是不可避免的,如果没有栅较电阻,那栅较回路在驱动器驱动脉冲的激励下要产生很强的振荡,因此必须串联一个电阻加以迅速衰减。 2、转移驱动器的功率损耗 电容电感都是无功元件,如果没有栅较电阻,驱动功率就将绝大部分消耗在驱动器内部的输出管上,使其温度上升很多。 3、调节功率开关器件的通断速度 栅较电阻小,开关器件通断快,开关损耗小;反之则慢,同时开关损耗大。但驱动速度过快将使开关器件的电压和电流变化率大大提高,从而产生较大的干扰,严重的将使整个装置无法工作,因此必须统筹兼顾。 栅较电阻的选取 1、栅较电阻阻值的确定 各种不同的考虑下,栅较电阻的选取会有很大的差异。初试可如下选取: IGBT额定电流(A) Rg阻值范围(Ω) 50 10-20 100 5,6-10 200 3,9-7,5 300 3-5,6 600 1,6-3 800 1,3-2,2 1000 1-2 1500 0,8-1,5 不同品牌的IGBT模块可能有各自的特定要求,可在其参数手册的推荐值附近调试。 2、栅较电阻功率的确定 栅较电阻的功率由IGBT栅较驱动的功率决定,一般来说栅较电阻的总功率应至少是栅较驱动功率的2倍。 IGBT栅较驱动功率 P=FUQ,其中: F 为工作频率; U 为驱动输出电压的峰峰值; Q 为栅较电荷,可参考IGBT模块参数手册。 例如,常见IGBT驱动器(如TX-KA101)输出正电压15V,负电压-9V,则U=24V, 假设 F=10KHz,Q=2.8uC 可计算出 P=0.67w ,栅较电阻应选取2W电阻,或2个1W电阻并联。 设置栅较电阻的其他注意事项 1、尽量减小栅较回路的电感阻抗,具体的措施有: a) 驱动器靠近IGBT减小引线长度; b) 驱动的栅射较引线绞合,并且不要用过粗的线; c) 线路板上的 2 根驱动线的距离尽量靠近; d) 栅较电阻使用无感电阻; e) 如果是有感电阻,可以用几个并联以减小电感。 2、IGBT 开通和关断选取不同的栅较电阻 通常为达到更好的驱动效果,IGBT开通和关断可以采取不同的驱动速度,分别选取 Rgon和Rgoff(也称 Rg+ 和 Rg- )往往是很必要的。 IGBT驱动器有些是开通和关断分别输出控制,如落木源TX-KA101、TX-KA102等,只要分别接上Rgon和Rgoff就可以了。 有些驱动器只有一个输出端,如落木源TX-K841L、TX-KA962F,这就要在原来的Rg 上再并联一个电阻和二极管的串联网络,用以调节2个方向的驱动速度。 3、在IGBT的栅射较间接上Rge=10-100K 电阻,防止在未接驱动引线的情况下,偶然加主电高压,通过米勒电容烧毁IGBT。落木源驱动板常见型号上(如:TX-DA962Dx、TX-DA102Dx)已经有Rge了,但考虑到上述因素,用户较好再在IGBT的栅射较或MOSFET栅源间加装Rge。